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NXP Semiconductors
Double ESD protection diodes in SOT23
package
Product data sheet
PESDxS2UT series
10
I R
I R(25?C)
1
(1)
001aaa270
10 ? 1
? 100
? 50
0
50
100
T j ( ° C)
150
(1) PESD3V3S2UT; V RWM = 3.3 V.
PESD5V2S2UT; V RWM = 5 V.
I R is less than 10 nA at 150 ° C for:
PESD12V52UT; V RWM = 12 V.
PESD15VS2UT; V RWM = 15 V.
PESD24VS2UT; V RWM = 24 V.
Fig.8
Relative variation of reverse leakage
current as a function of junction
temperature; typical values.
2004 Apr 15
8
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